IRLML6401GTRPBF參數(shù)：MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：HEXFET®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：12V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：4.3A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：50毫歐@4.3A，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：950mV@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：15nC@5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：830pF@10V功率-最大值：1.3W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供應(yīng)商器件封裝：Micro3?/SOT-23
