IRLML6302TR參數:MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
類別:分立半導體產品-FET - 單設計資源: IRLML6302TRSaberModel IRLML6302TRSpiceModel標準包裝:1系列:HEXFET®包裝:剪切帶(CT)FET類型:MOSFETP通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):20V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):780mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):600毫歐@610mA,4.5V不同Id時的Vgs(th)(最大值):1.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):3.6nC@4.45V不同Vds時的輸入電容(Ciss):97pF@15V功率-最大值:540mW安裝類型:表面貼裝封裝:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供應商器件封裝:Micro3?/SOT-23