IRLML6302GTRPBF
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IRLML6302GTRPBF參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 0.78A SOT-23-3

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：HEXFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：780mA
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：600毫歐@610mA，4.5V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：3.6nC@4.5V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：97pF@15V
功率-最大值：540mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝：Micro3?/SOT-23