IRLML6344TRPBF參數(shù):MOSFET N-CH 30V 5A SOT23
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000系列:HEXFET®包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):30V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):5A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):29毫歐@5A,4.5V不同Id時的Vgs(th)(最大值):1.1V@10µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):6.8nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss):650pF@25V功率-最大值:1.3W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供應(yīng)商器件封裝:SOT-23