J112G
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J112G參數(shù)：TRANS GP JFET N-CH 35V TO-92

類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-JFET（結(jié)點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
系列：-
包裝：散裝
不同 Vds (Vgs=0) 時(shí)的電流 - 漏極 (Idss)：5mA @ 15V
漏源極電壓 (Vdss)：-
漏極電流 (Id) - 最大值：-
FET 類(lèi)型：N 溝道
電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)：35V
不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）：1V @ 1µA
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：-
電阻 - RDS（開(kāi)）：50 歐姆
安裝類(lèi)型：通孔
封裝：TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體
供應(yīng)商器件封裝：TO-92-3
功率 - 最大值：350mW