2SJ665-DL-E參數(shù)：MOSFET P-CH 4V DRIVE SMP-FD
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：1,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：100V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：27A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：77 毫歐 @ 14A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：74nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：4200pF @ 20V功率 - 最大值：1.65W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB供應商器件封裝：SMP-FD
